BAE系统公司宣布，其FAST Labs研发部门已完成美国国防高级研究计划局（DARPA）的THREADS项目第一阶段工作，并获得继续支持以推进至第二阶段。THREADS项目全称为“器件级电子散热技术”，旨在解决高性能射频电子设备（尤其是氮化镓（GaN）器件）的散热限制，从而提升军事系统的功率和性能。

在第一阶段，BAE系统验证了材料和工艺改进的可行性。公司首席研究员Isaac Wildeson表示，第一阶段的进展验证了其技术路线，并有望“释放射频系统的全部潜力”。BAE系统称，该热管理技术有望使射频系统的作用距离提升近三倍，这将显著提高军事人员的安全性和交战距离。

该项目在新罕布什尔州纳舒厄的BAE系统微电子中心进行，该中心是美国国防部1A类可信供应商，专门开发和制造先进的氮化镓和砷化镓集成电路。BAE系统与Modern Microsystems、宾夕法尼亚州立大学、斯坦福大学、圣母大学和德克萨斯大学达拉斯分校合作，以加速技术开发。

THREADS项目聚焦于解决GaN器件在高功率运行下的散热瓶颈。GaN器件因其高效率和宽禁带特性，在军事雷达、电子战和通信系统中应用广泛，但热量积聚限制了其性能发挥。通过改进材料和工艺，THREADS项目旨在让这些器件在更高性能水平下运行，从而增强军事系统的整体能力。

进入第二阶段后，BAE系统将继续与学术和工业伙伴合作，推进技术成熟度。该技术的成功应用可能对下一代军事电子系统产生深远影响，尤其是在提升探测距离和通信可靠性方面。