BAE系統公司宣佈，其FAST Labs研發部門已完成美國國防高級研究計劃局（DARPA）的THREADS項目第一階段工作，並獲得繼續支持以推進至第二階段。THREADS項目全稱為“器件級電子散熱技術”，旨在解決高性能射頻電子設備（尤其是氮化鎵（GaN）器件）的散熱限制，從而提升軍事系統的功率和性能。

在第一階段，BAE系統驗證了材料和工藝改進的可行性。公司首席研究員Isaac Wildeson表示，第一階段的進展驗證了其技術路線，並有望“釋放射頻系統的全部潛力”。BAE系統稱，該熱管理技術有望使射頻系統的作用距離提升近三倍，這將顯著提高軍事人員的安全性和交戰距離。

該項目在新罕布什爾州納舒厄的BAE系統微電子中心進行，該中心是美國國防部1A類可信供應商，專門開發和製造先進的氮化鎵和砷化鎵集成電路。BAE系統與Modern Microsystems、賓夕法尼亞州立大學、斯坦福大學、聖母大學和德克薩斯大學達拉斯分校合作，以加速技術開發。

THREADS項目聚焦於解決GaN器件在高功率運行下的散熱瓶頸。GaN器件因其高效率和寬禁帶特性，在軍事雷達、電子戰和通信系統中應用廣泛，但熱量積聚限制了其性能發揮。通過改進材料和工藝，THREADS項目旨在讓這些器件在更高性能水平下運行，從而增強軍事系統的整體能力。

進入第二階段後，BAE系統將繼續與學術和工業夥伴合作，推進技術成熟度。該技術的成功應用可能對下一代軍事電子系統產生深遠影響，尤其是在提升探測距離和通信可靠性方面。